DRIE

Deep Reactive Ion Etching

DRIE – Deep Reactive Ion Etching ist ein Trench-Silizium-Ätzprozess mit gewünscht hohem Aspektverhältnis. Das Prinzip des Trench-Silizium-Ätzprozesses ist ein alternierendes Ätzen auf Fluorbasis und eine Passivierung der Ätz-Strukturen. Dies führt zu Seitenwandprofilen von 90 ° ± 1 ° mit Seitenverhältnissen von bis zu 40:1. Maskierungsschichten können zum Beispiel aus Fotolack oder Siliziumdioxid bestehen.
Derzeit sind vdrei Alcatel 601E / AMS200-Systeme und eine STS / ICP-Systeme installiert.

DRIE - die Vorteile

  • Ätzrate von bis zu 10 µm/min
  • Seitenverhältnis bis zu 40:1
  • Selektivität für Foto Resist > 75:1
  • Selektivität für Siliziumdioxid > 150:1
  • typische Ätztiefen 10 bis 675 µm
  • komplett durch den Wafer ätzen möglich
  • Seitenwandprofil 90°± 1°
  • Strukturgröße 5µm bis > 10mm

Beste Werkzeuge für optimale Leistung

Die DRIE-Technologie von microfab bietet überlegene Prozessleistung und maximale Prozessflexibilität, um den Anforderungen einer breiten Palette von MEMS-Anwendungen gerecht zu werden.

  • Anwendungen bei der Herstellung von Mikrosystemen umfassen: Hohe Aspektverhältnisse, Ätztiefen von bis zu 675 µm, Ätzen durch den Wafer, Ätzen in einen vergrabenen Hohlraum im Wafer oder Ätzen auf vergrabenes Oxid.
  • Anwendungen bei der Isolierung tiefer Gräben umfassen: Ätzen von Bulk-Silizium- oder Silizium-auf-Isolator (SOI) -Strukturen mit vertikalen oder positiven Profilen mit hohen Ätzraten für hohen Durchsatz.