Das nasschemische Ätzen wird üblicherweise zum gleichmäßigen Entfernen oder Strukturieren durch eine Maske aus dielektrischen oder metallischen Schichten verwendet. Im Gegensatz zu RIE sind alle Prozesse mehr oder weniger isotrop. Die Selektivitäten gegenüber Masken- und Substratmaterialien sind normalerweise viel besser als bei RIE-Prozessen. Ein spezielles Nassätzverfahren, das in der Volumen-Mikromechanik verwendet wird, ist das anisotrope, kristallorientierte KOH- oder TMAH-Ätzen.
Für die Waferreinigung wird das Standard-RCA-Verfahren (SC1, SC2, HF-Dip) verwendet. Für das Resist-Strippen stehen spezielle Lösungsmittelbäder zur Verfügung.