Um Silizium zu strukturieren, werden zwei grundlegende Methoden verwendet: Nass- und trockenchemisches Ätzen. Das nasschemische Ätzen wird durch anisotrope Ätzmittel wie KOH und TMAH durchgeführt. Beide Chemikalien zeigen je nach Kristallstruktur unterschiedliche Ätzraten, während z.B. die Ätzrate in <100> -Richtung viel höher ist als die in <111> -Richtung können geometrische Begrenzung der Ätzlöcher ermöglicht werden.
Die Tiefe eines Ätzlochs in der <100> -Richtung wird dann üblicherweise durch einen Zeitfaktor oder durch eine Funktionsschicht bzw. einen pn-Übergang gesteuert.
TMAH-Ätzmittel sind frei von alkalischen Ionen und daher in hohem Maße mit CMOS-Prozessen kompatibel. Somit können sie in einen additiven Prozess zusammen oder nachträglich einer IC-Herstellung integriert werden. Ein begrenzender Faktor für die Designflexibilität des nasschemischen Ätzens sind alle durch den Einkristall vorgegebenen festen Winkel des Siliziums.
Die Volumen-Mikromechanik oder auch das Bulk Micromachining (BMM) beschreibt einen Herstellungsprozess, bei dem unter Ausnutzung aller drei Raumdimensionen Strukturen erzeugt werden. In den meisten Anwendungen wird einkristallines Silizium als Bulk Material verwendet. Die hervorragenden elektrischen und mechanischen Eigenschaften machen es zu einem idealem Material um einfache Mikrosysteme, Kanalstrukturen, Durchätzungen oder freistehende Strukturen zu erzeugen.
